Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-4ESH01HM3/87A

KEY Part #: K6430840

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Número da peça:
VS-4ESH01HM3/87A
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 4A 100V AEC-Q101
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-4ESH01HM3/87A Atributos do produto

Número da peça : VS-4ESH01HM3/87A
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Series : Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 4A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 930mV @ 4A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 25ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 2µA @ 4V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-277, 3-PowerDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-277A (SMPC)
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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