Vishay Semiconductor Diodes Division - VBT1080S-E3/8W

KEY Part #: K6436842

VBT1080S-E3/8W Preços (USD) [196576pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.18816
  • 1,600 pcs$0.17130

Número da peça:
VBT1080S-E3/8W
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 10A,80V,Trench
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VBT1080S-E3/8W Atributos do produto

Número da peça : VBT1080S-E3/8W
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 80V
Atual - Média Retificada (Io) : 10A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 810mV @ 10A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 600µA @ 80V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263AB
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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