IXYS - MKI100-12F8

KEY Part #: K6532899

MKI100-12F8 Preços (USD) [748pcs Estoque]

  • 1 pcs$65.50384
  • 5 pcs$65.17795

Número da peça:
MKI100-12F8
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 125A E3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
We specialize in IXYS MKI100-12F8 electronic components. MKI100-12F8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MKI100-12F8, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MKI100-12F8 Atributos do produto

Número da peça : MKI100-12F8
Fabricante : IXYS
Descrição : MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 125A E3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : NPT
Configuração : Full Bridge Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 125A
Potência - Max : 640W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 100A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 1.3mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 6.5nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operação : -40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : E3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : E3

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