Vishay Semiconductor Diodes Division - GBUE2560-M3/P

KEY Part #: K6542570

GBUE2560-M3/P Preços (USD) [24228pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.70110

Número da peça:
GBUE2560-M3/P
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4.9A GBU. Bridge Rectifiers 600V Vrrm; 25A If Case Style GBU
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GBUE2560-M3/P electronic components. GBUE2560-M3/P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBUE2560-M3/P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GBUE2560-M3/P Atributos do produto

Número da peça : GBUE2560-M3/P
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4.9A GBU
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Single Phase
Tecnologia : Standard
Tensão - pico reverso (máximo) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 4.9A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 920mV @ 12.5A
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 600V
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : 4-SIP, GBU
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : GBU

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