ES2GHE3_A/H Preços (USD) [326142pcs Estoque]
- 1 pcs$0.11341
- 3,000 pcs$0.07596
- Número da peça:
- ES2GHE3_A/H
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,400V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES2GHE3_A/H electronic components. ES2GHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2GHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES2GHE3_A/H Atributos do produto
Número da peça :
ES2GHE3_A/H
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
300V
Atual - Média Retificada (Io) :
2A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 2A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
35ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
10µA @ 50V
Capacitância @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-214AA, SMB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
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