Vishay Semiconductor Diodes Division - SS3H10HE3_B/I

KEY Part #: K6427389

SS3H10HE3_B/I Preços (USD) [333539pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.11089

Número da peça:
SS3H10HE3_B/I
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SS3H10HE3_B/I Atributos do produto

Número da peça : SS3H10HE3_B/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB
Series : Automotive, AEC-Q100
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 800mV @ 3A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 20µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AB, SMC
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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