1N5619GP-E3/73 Preços (USD) [732237pcs Estoque]
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- Número da peça:
- 1N5619GP-E3/73
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD. Rectifiers 1A, 600V, 250NS, FS, SUPERECT, DO15
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N5619GP-E3/73 electronic components. 1N5619GP-E3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5619GP-E3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N5619GP-E3/73 Atributos do produto
Número da peça :
1N5619GP-E3/73
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Atual - Média Retificada (Io) :
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.2V @ 1A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
250ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
500nA @ 600V
Capacitância @ Vr, F :
25pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
DO-201AD, Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-201AD
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C
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- GI816-E3/73
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- JANTX1N1190
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