ON Semiconductor - FGH40N65UFDTU

KEY Part #: K6422922

FGH40N65UFDTU Preços (USD) [25481pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.61737
  • 450 pcs$1.03144

Número da peça:
FGH40N65UFDTU
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 650V 80A 290W TO247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - retificadores de ponte and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGH40N65UFDTU Atributos do produto

Número da peça : FGH40N65UFDTU
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 650V 80A 290W TO247
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 80A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 120A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 40A
Potência - Max : 290W
Energia de comutação : 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 120nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 24ns/112ns
Condição de teste : 400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 45ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247

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