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GeneSiC Semiconductor - MBR200150CTR

KEY Part #: K6468519

MBR200150CTR Preços (USD) [1317pcs Estoque]

  • 1 pcs$32.85075
  • 25 pcs$22.84681
Número da peça:
MBR200150CTR
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR200150CTR electronic components. MBR200150CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR200150CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR200150CTR Atributos do produto

Número da peça : MBR200150CTR
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Anode
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 150V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 100A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 880mV @ 100A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 3mA @ 150V
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Twin Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Twin Tower
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