Vishay Semiconductor Diodes Division - RS3JHE3/57T

KEY Part #: K6446714

[1671pcs Estoque]


    Número da peça:
    RS3JHE3/57T
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição detalhada:
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - IGBTs - Single ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RS3JHE3/57T electronic components. RS3JHE3/57T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS3JHE3/57T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RS3JHE3/57T Atributos do produto

    Número da peça : RS3JHE3/57T
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo de Diodo : Standard
    Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
    Atual - Média Retificada (Io) : 3A
    Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 2.5A
    Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 250ns
    Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 600V
    Capacitância @ Vr, F : 34pF @ 4V, 1MHz
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : DO-214AB, SMC
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AB (SMC)
    Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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