Toshiba Semiconductor and Storage - 2SD2695(T6CNO,A,F)

KEY Part #: K6381743

[9897pcs Estoque]


    Número da peça:
    2SD2695(T6CNO,A,F)
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    TRANS NPN 2A 60V TO226-3.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - IGBTs - Módulos ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695(T6CNO,A,F) electronic components. 2SD2695(T6CNO,A,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SD2695(T6CNO,A,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2SD2695(T6CNO,A,F) Atributos do produto

    Número da peça : 2SD2695(T6CNO,A,F)
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : TRANS NPN 2A 60V TO226-3
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo de transistor : NPN
    Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 2A
    Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 60V
    Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic : 1.5V @ 1mA, 1A
    Corrente - corte de coletor (máx.) : 10µA (ICBO)
    Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 2000 @ 1A, 2V
    Potência - Max : 900mW
    Freqüência - Transição : 100MHz
    Temperatura de operação : 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote / caso : TO-226-3, TO-92-3 Long Body
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-92MOD

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