Vishay Semiconductor Diodes Division - RMPG06JHE3_A/54

KEY Part #: K6455134

RMPG06JHE3_A/54 Preços (USD) [784180pcs Estoque]

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Número da peça:
RMPG06JHE3_A/54
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06. Rectifiers 1A, 600V, 200NS, FS, MINIGPPRECT.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RMPG06JHE3_A/54 electronic components. RMPG06JHE3_A/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RMPG06JHE3_A/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RMPG06JHE3_A/54 Atributos do produto

Número da peça : RMPG06JHE3_A/54
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 1A MPG06
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 200ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : 6.6pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : MPG06, Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : MPG06
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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