UGB8JT-E3/45 Preços (USD) [120478pcs Estoque]
- 1 pcs$0.30701
- 1,000 pcs$0.27950
- Número da peça:
- UGB8JT-E3/45
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0A 25ns 100 Amp IFSM
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - JFETs and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UGB8JT-E3/45 electronic components. UGB8JT-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UGB8JT-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
UGB8JT-E3/45 Atributos do produto
Número da peça :
UGB8JT-E3/45
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Atual - Média Retificada (Io) :
8A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.75V @ 8A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
50ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
30µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263AB
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
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Peças Quentes
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- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
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