Microsemi Corporation - APT25GN120BG

KEY Part #: K6421761

APT25GN120BG Preços (USD) [11446pcs Estoque]

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  • 500 pcs$2.23133
  • 1,000 pcs$1.94342

Número da peça:
APT25GN120BG
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 67A 272W TO247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT25GN120BG Atributos do produto

Número da peça : APT25GN120BG
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : IGBT 1200V 67A 272W TO247
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 67A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 75A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 25A
Potência - Max : 272W
Energia de comutação : 2.15µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 155nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 22ns/280ns
Condição de teste : 800V, 25A, 1 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 [B]