Infineon Technologies - IKW25N120T2FKSA1

KEY Part #: K6422957

IKW25N120T2FKSA1 Preços (USD) [12775pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.22592

Número da peça:
IKW25N120T2FKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 50A 349W TO247-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IKW25N120T2FKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IKW25N120T2FKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT 1200V 50A 349W TO247-3
Series : TrenchStop®
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 50A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 100A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 25A
Potência - Max : 349W
Energia de comutação : 2.9mJ
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 120nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 27ns/265ns
Condição de teste : 600V, 25A, 16.4 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 195ns
Temperatura de operação : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO247-3