ON Semiconductor - FGA25N120ANTDTU

KEY Part #: K6421756

FGA25N120ANTDTU Preços (USD) [22160pcs Estoque]

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  • 10 pcs$2.15326
  • 100 pcs$1.76408
  • 500 pcs$1.50171
  • 1,000 pcs$1.26651

Número da peça:
FGA25N120ANTDTU
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 50A 312W TO3P.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGA25N120ANTDTU Atributos do produto

Número da peça : FGA25N120ANTDTU
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 1200V 50A 312W TO3P
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : NPT and Trench
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 50A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 90A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.65V @ 15V, 50A
Potência - Max : 312W
Energia de comutação : 4.1mJ (on), 960µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 200nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 50ns/190ns
Condição de teste : 600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 350ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3P

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