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Toshiba Memory America, Inc. - TH58NYG2S3HBAI4

KEY Part #: K934687

TH58NYG2S3HBAI4 Preços (USD) [13416pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.41542
Número da peça:
TH58NYG2S3HBAI4
Fabricante:
Toshiba Memory America, Inc.
Descrição detalhada:
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Aquisição de Dados - Front End Analógico (AFE), Interface - Terminais de Sinal, PMIC - Carregadores de Bateria, PMIC - Switches de distribuição de energia, driver, Memória - Proms de configuração para FPGAs, Embutido - DSP (Digital Signal Processors), PMIC - Medição de Energia and Lógica - Lógica Especializada ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TH58NYG2S3HBAI4 electronic components. TH58NYG2S3HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TH58NYG2S3HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58NYG2S3HBAI4 Atributos do produto

Número da peça : TH58NYG2S3HBAI4
Fabricante : Toshiba Memory America, Inc.
Descrição : 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de memória : Non-Volatile
Formato de memória : FLASH
Tecnologia : FLASH - NAND (SLC)
Tamanho da memória : 4Gb (512M x 8)
Freqüência do relógio : -
Escrever tempo de ciclo - Word, página : 25ns
Tempo de acesso : -
Interface de memória : Parallel
Tensão - fonte : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de operação : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 63-BGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 63-BGA (9x11)

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