Toshiba Memory America, Inc. - TH58NYG2S3HBAI4

KEY Part #: K934687

TH58NYG2S3HBAI4 Preços (USD) [13416pcs Estoque]

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Número da peça:
TH58NYG2S3HBAI4
Fabricante:
Toshiba Memory America, Inc.
Descrição detalhada:
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: PMIC - Drivers Laser, Embutido - DSP (Digital Signal Processors), Embarcado - FPGAs (Field Programmable Gate Array), Interface - Módulos, Memória - Baterias, Embutido - Microcontrolador, Microprocessador, Mód, Chips IC and PMIC - Carregadores de Bateria ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58NYG2S3HBAI4 Atributos do produto

Número da peça : TH58NYG2S3HBAI4
Fabricante : Toshiba Memory America, Inc.
Descrição : 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de memória : Non-Volatile
Formato de memória : FLASH
Tecnologia : FLASH - NAND (SLC)
Tamanho da memória : 4Gb (512M x 8)
Freqüência do relógio : -
Escrever tempo de ciclo - Word, página : 25ns
Tempo de acesso : -
Interface de memória : Parallel
Tensão - fonte : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de operação : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 63-BGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 63-BGA (9x11)