GeneSiC Semiconductor - 1N3210R

KEY Part #: K6425491

1N3210R Preços (USD) [12474pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.30352
  • 100 pcs$2.16529

Número da peça:
1N3210R
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP REV 200V 15A DO5. Rectifiers 200V 15A REV Leads Std. Recovery
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N3210R electronic components. 1N3210R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3210R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3210R Atributos do produto

Número da peça : 1N3210R
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE GEN PURP REV 200V 15A DO5
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard, Reverse Polarity
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Atual - Média Retificada (Io) : 15A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 15A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 50V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Chassis, Stud Mount
Pacote / caso : DO-203AB, DO-5, Stud
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-203AB (DO-5)
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C
Você também pode estar interessado em
  • BAS70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • QH12BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier

  • QH03BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 3A, Rectifier

  • VS-SD1100C12C

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp

  • 63SPB100A

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V 60A SPD-2A.

  • SBAS116LT1G

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 75V T