BYM10-50HE3/97 Preços (USD) [675586pcs Estoque]
- 1 pcs$0.05475
- 10,000 pcs$0.04962
- Número da peça:
- BYM10-50HE3/97
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB. Rectifiers 50 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Diodos - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM10-50HE3/97 electronic components. BYM10-50HE3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM10-50HE3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYM10-50HE3/97 Atributos do produto
Número da peça :
BYM10-50HE3/97
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
Series :
SUPERECTIFIER®
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
50V
Atual - Média Retificada (Io) :
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 1A
Rapidez :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
10µA @ 50V
Capacitância @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-213AB, MELF (Glass)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-213AB
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C
Últimas notícias
Você também pode estar interessado em
-
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
RGL34JHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
RGL34BHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34GHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34DHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
RGL34BHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
Peças Quentes
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR