ON Semiconductor - NRVB8H100MFST1G

KEY Part #: K6444586

NRVB8H100MFST1G Preços (USD) [367975pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.10052
  • 3,000 pcs$0.09623

Número da peça:
NRVB8H100MFST1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NRVB8H100MFST1G Atributos do produto

Número da peça : NRVB8H100MFST1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 8A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 900mV @ 8A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 2µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerTDFN, 5 Leads
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C

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