Vishay Semiconductor Diodes Division - BYW29-200HE3/45

KEY Part #: K6445879

BYW29-200HE3/45 Preços (USD) [1956pcs Estoque]

  • 1,000 pcs$0.21802

Número da peça:
BYW29-200HE3/45
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYW29-200HE3/45 Atributos do produto

Número da peça : BYW29-200HE3/45
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Atual - Média Retificada (Io) : 8A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 20A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 25ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-220-2
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AC
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 150°C

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