Vishay Semiconductor Diodes Division - P600M-E3/54

KEY Part #: K6435605

P600M-E3/54 Preços (USD) [235208pcs Estoque]

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  • 20,000 pcs$0.09872

Número da peça:
P600M-E3/54
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 1KV 6A P600. Rectifiers 6.0 Amp 1000 Volt 400 Amp IFSM
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division P600M-E3/54 electronic components. P600M-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for P600M-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

P600M-E3/54 Atributos do produto

Número da peça : P600M-E3/54
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 1KV 6A P600
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1000V
Atual - Média Retificada (Io) : 6A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1V @ 6A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 2.5µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 1000V
Capacitância @ Vr, F : 150pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : P600, Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : P600
Temperatura de funcionamento - junção : -50°C ~ 150°C

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