BSM50GD170DLBOSA1 Preços (USD) [536pcs Estoque]
- 1 pcs$86.49540
- Número da peça:
- BSM50GD170DLBOSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
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BSM50GD170DLBOSA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSM50GD170DLBOSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo IGBT :
-
Configuração :
Full Bridge
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1700V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
100A
Potência - Max :
480W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
3.3V @ 15V, 50A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
100µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
3.5nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operação :
-40°C ~ 125°C
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
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