Vishay Semiconductor Diodes Division - FESB16JT-E3/45

KEY Part #: K6443484

FESB16JT-E3/45 Preços (USD) [51104pcs Estoque]

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Número da peça:
FESB16JT-E3/45
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FESB16JT-E3/45 Atributos do produto

Número da peça : FESB16JT-E3/45
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 16A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 16A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 50ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : 145pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263AB
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 150°C

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