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  5. JAN1N5416

Microsemi Corporation - JAN1N5416

KEY Part #: K6427895

JAN1N5416 Preços (USD) [8548pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.82104
  • 118 pcs$3.81150
Número da peça:
JAN1N5416
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A FAST 100V
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5416 electronic components. JAN1N5416 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5416, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5416 Atributos do produto

Número da peça : JAN1N5416
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Series : Military, MIL-PRF-19500/411
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 9A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 150ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : B, Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : -
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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