Vishay Semiconductor Diodes Division - ES07B-GS18

KEY Part #: K6454600

ES07B-GS18 Preços (USD) [921392pcs Estoque]

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Número da peça:
ES07B-GS18
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES07B-GS18 Atributos do produto

Número da peça : ES07B-GS18
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 1.2A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 980mV @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 25ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F : 4pF @ 4V, 50MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-219AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-219AB (SMF)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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