Vishay Semiconductor Diodes Division - S1MHE3_A/H

KEY Part #: K6453087

S1MHE3_A/H Preços (USD) [977949pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.03782
  • 1,800 pcs$0.03611
  • 3,600 pcs$0.03139
  • 5,400 pcs$0.02825
  • 12,600 pcs$0.02511
  • 45,000 pcs$0.02355
  • 90,000 pcs$0.02093

Número da peça:
S1MHE3_A/H
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1A 1000V 40A@8.3ms Single Die Auto
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1MHE3_A/H Atributos do produto

Número da peça : S1MHE3_A/H
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Series : Automotive, AEC-Q100
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1000V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 1.8µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 1000V
Capacitância @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AC, SMA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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