MJD112G Preços (USD) [139583pcs Estoque]
- 1 pcs$0.26498
- 10 pcs$0.22543
- 100 pcs$0.16825
- 500 pcs$0.13220
- 1,000 pcs$0.10215
- Número da peça:
- MJD112G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor MJD112G electronic components. MJD112G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MJD112G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MJD112G Atributos do produto
Número da peça :
MJD112G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de transistor :
NPN - Darlington
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
2A
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
100V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic :
3V @ 40mA, 4A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
20µA
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
1000 @ 2A, 3V
Potência - Max :
1.75W
Freqüência - Transição :
25MHz
Temperatura de operação :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK
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