IDV30E65D2XKSA1 Preços (USD) [44322pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.59788
- 100 pcs$0.48065
- 500 pcs$0.39489
- 1,000 pcs$0.30951
- Número da peça:
- IDV30E65D2XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 650V 30A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers IGBT PRODUCTS
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - RF, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IDV30E65D2XKSA1 electronic components. IDV30E65D2XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDV30E65D2XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDV30E65D2XKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IDV30E65D2XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
DIODE GEN PURP 650V 30A TO220-2
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
650V
Atual - Média Retificada (Io) :
30A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
2.2V @ 30A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
42ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
40µA @ 650V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-220-2 Full Pack
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-2 Full Pack
Temperatura de funcionamento - junção :
-40°C ~ 175°C
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