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  5. JANTXV1N6631US

Microsemi Corporation - JANTXV1N6631US

KEY Part #: K6446826

JANTXV1N6631US Preços (USD) [3183pcs Estoque]

  • 1 pcs$13.67618
  • 100 pcs$13.60814
Número da peça:
JANTXV1N6631US
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B. Rectifiers Rectifier
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6631US electronic components. JANTXV1N6631US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6631US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N6631US Atributos do produto

Número da peça : JANTXV1N6631US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
Series : Military, MIL-PRF-19500/590
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1100V
Atual - Média Retificada (Io) : 1.4A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 1.4A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 60ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 4µA @ 1100V
Capacitância @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : E-MELF
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-5B
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 150°C

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