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GeneSiC Semiconductor - MSRTA600100(A)

KEY Part #: K6473626

MSRTA600100(A) Preços (USD) [880pcs Estoque]

  • 1 pcs$55.16653
  • 25 pcs$54.89207
Número da peça:
MSRTA600100(A)
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes and Diodos - retificadores de ponte ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MSRTA600100(A) electronic components. MSRTA600100(A) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSRTA600100(A), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSRTA600100(A) Atributos do produto

Número da peça : MSRTA600100(A)
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Cathode
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1000V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 600A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 600A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 25µA @ 600V
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : 3-SMD Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Three Tower
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