ISL9R30120G2 Preços (USD) [24610pcs Estoque]
- 1 pcs$1.71432
- 10 pcs$1.53892
- 100 pcs$1.26084
- Número da peça:
- ISL9R30120G2
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247. Diodes - General Purpose, Power, Switching 30A 1200V STEALTH
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor ISL9R30120G2 electronic components. ISL9R30120G2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ISL9R30120G2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ISL9R30120G2 Atributos do produto
Número da peça :
ISL9R30120G2
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
Series :
Stealth™
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200V
Atual - Média Retificada (Io) :
30A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
3.3V @ 30A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
100ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
100µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-247-2
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247-2
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
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