Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GT75NP120N

KEY Part #: K6533602

[779pcs Estoque]


    Número da peça:
    VS-GT75NP120N
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição detalhada:
    IGBT 1200V 150A 446W INT-A-PAK.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT75NP120N electronic components. VS-GT75NP120N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GT75NP120N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-GT75NP120N Atributos do produto

    Número da peça : VS-GT75NP120N
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição : IGBT 1200V 150A 446W INT-A-PAK
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo IGBT : -
    Configuração : Single
    Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
    Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 150A
    Potência - Max : 446W
    Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.08V @ 15V, 75A (Typ)
    Corrente - corte de coletor (máx.) : 1mA
    Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 9.45nF @ 30V
    Entrada : Standard
    Termistor NTC : No
    Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Chassis Mount
    Pacote / caso : INT-A-PAK (3 + 4)
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : INT-A-PAK

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