NGTB40N120FL2WG Preços (USD) [16790pcs Estoque]
- 1 pcs$4.23072
- 10 pcs$3.82043
- 100 pcs$3.16290
- 500 pcs$2.75420
- Número da peça:
- NGTB40N120FL2WG
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- IGBT 1200V 80A 535W TO247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
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NGTB40N120FL2WG Atributos do produto
Número da peça :
NGTB40N120FL2WG
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
IGBT 1200V 80A 535W TO247
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
80A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
200A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 40A
Potência - Max :
535W
Energia de comutação :
3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
313nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
116ns/286ns
Condição de teste :
600V, 40A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
240ns
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247
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