[9620pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRG8CH106K10F
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- IGBT 1200V 110A DIE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRG8CH106K10F electronic components. IRG8CH106K10F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRG8CH106K10F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRG8CH106K10F Atributos do produto
Número da peça :
IRG8CH106K10F
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
IGBT 1200V 110A DIE
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo IGBT :
-
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
-
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
-
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 110A
Potência - Max :
-
Energia de comutação :
-
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
700nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
80ns/380ns
Condição de teste :
600V, 110A, 1 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Temperatura de operação :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
Die
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Die
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