APTCV50H60T3G Preços (USD) [1865pcs Estoque]
- 1 pcs$23.21944
- 100 pcs$22.61126
- Número da peça:
- APTCV50H60T3G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation APTCV50H60T3G electronic components. APTCV50H60T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTCV50H60T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTCV50H60T3G Atributos do produto
Número da peça :
APTCV50H60T3G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
NPT, Trench Field Stop
Configuração :
Full Bridge
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
80A
Potência - Max :
176W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 50A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
250µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
3.15nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
SP3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SP3
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