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  5. JAN1N4150-1

Microsemi Corporation - JAN1N4150-1

KEY Part #: K6444769

JAN1N4150-1 Preços (USD) [49745pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.99926
  • 10 pcs$0.90142
  • 25 pcs$0.80493
  • 100 pcs$0.72436
  • 250 pcs$0.64387
  • 500 pcs$0.56339
  • 1,000 pcs$0.46681
Número da peça:
JAN1N4150-1
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4150-1 electronic components. JAN1N4150-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4150-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4150-1 Atributos do produto

Número da peça : JAN1N4150-1
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Series : Military, MIL-PRF-19500/231
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 50V
Atual - Média Retificada (Io) : 200mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1V @ 200mA
Rapidez : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 4ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 100nA @ 50V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : DO-204AH, DO-35, Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-35
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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