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  5. JAN1N6639US

Microsemi Corporation - JAN1N6639US

KEY Part #: K6427115

JAN1N6639US Preços (USD) [7693pcs Estoque]

  • 1 pcs$5.38349
  • 100 pcs$5.35671
Número da peça:
JAN1N6639US
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6639US electronic components. JAN1N6639US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6639US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N6639US Atributos do produto

Número da peça : JAN1N6639US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF
Series : Military, MIL-PRF-19500/609
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 75V
Atual - Média Retificada (Io) : 300mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 300mA
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 4ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 100nA @ 75V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SQ-MELF, B
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-5B
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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