NXP USA Inc. - A2T18S261W12NR3

KEY Part #: K6465954

A2T18S261W12NR3 Preços (USD) [1381pcs Estoque]

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Número da peça:
A2T18S261W12NR3
Fabricante:
NXP USA Inc.
Descrição detalhada:
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

A2T18S261W12NR3 Atributos do produto

Número da peça : A2T18S261W12NR3
Fabricante : NXP USA Inc.
Descrição : AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de transistor : LDMOS
Freqüência : 1.805GHz ~ 1.88GHz
Ganho : 18.2dB
Tensão - Teste : 28V
Classificação atual : 10µA
Figura de ruído : -
Atual - teste : 1.5A
Potência : 280W
Voltagem - Rated : 65V
Pacote / caso : OM-880X-2L2L
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : OM-880X-2L2L