Infineon Technologies - FF1200R12IE5BPSA1

KEY Part #: K6532503

FF1200R12IE5BPSA1 Preços (USD) [123pcs Estoque]

  • 1 pcs$372.38291

Número da peça:
FF1200R12IE5BPSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MODULE IGBT PRIME2-5.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Infineon Technologies FF1200R12IE5BPSA1 electronic components. FF1200R12IE5BPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF1200R12IE5BPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF1200R12IE5BPSA1 Atributos do produto

Número da peça : FF1200R12IE5BPSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MODULE IGBT PRIME2-5
Series : PrimePack™2
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configuração : Half Bridge
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 2400A
Potência - Max : 20mW
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 1200A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 5mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 65.5nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operação : -40°C ~ 175°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module

Você também pode estar interessado em
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.