[12825pcs Estoque]
- Número da peça:
- PSMN1R7-25YLC,115
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in NXP USA Inc. PSMN1R7-25YLC,115 electronic components. PSMN1R7-25YLC,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN1R7-25YLC,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PSMN1R7-25YLC,115 Atributos do produto
Número da peça :
PSMN1R7-25YLC,115
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.95V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
59nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3735pF @ 12V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
164W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
LFPAK56, Power-SO8
Pacote / caso :
SC-100, SOT-669
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