Toshiba Semiconductor and Storage - HN1B01FU-Y(L,F,T)

KEY Part #: K6392377

[6195pcs Estoque]


    Número da peça:
    HN1B01FU-Y(L,F,T)
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-Y(L,F,T) electronic components. HN1B01FU-Y(L,F,T) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN1B01FU-Y(L,F,T), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HN1B01FU-Y(L,F,T) Atributos do produto

    Número da peça : HN1B01FU-Y(L,F,T)
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
    Series : -
    Status da Peça : Active
    Tipo de transistor : NPN, PNP
    Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 150mA
    Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 50V
    Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 10mA, 100mA
    Corrente - corte de coletor (máx.) : 100nA (ICBO)
    Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 120 @ 2mA, 6V
    Potência - Max : 200mW
    Freqüência - Transição : 120MHz
    Temperatura de operação : 125°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : US6

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