Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
1000V
Atual - Média Retificada (Io) :
3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.2V @ 9A
Rapidez :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
2µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
1µA @ 1000V
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
-
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C