GeneSiC Semiconductor - MBR600150CT

KEY Part #: K6468835

MBR600150CT Preços (USD) [729pcs Estoque]

  • 1 pcs$63.61256
  • 25 pcs$37.09736

Número da peça:
MBR600150CT
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Forward
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR600150CT Atributos do produto

Número da peça : MBR600150CT
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Cathode
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 150V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 300A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 880mV @ 300A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 3mA @ 150V
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Twin Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Twin Tower
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