Toshiba Semiconductor and Storage - CES521,L3F

KEY Part #: K6436288

CES521,L3F Preços (USD) [3388457pcs Estoque]

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Número da peça:
CES521,L3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC. Schottky Diodes & Rectifiers SM Sig Schotky Diode 30 VR 0.2A 1 Circuit
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CES521,L3F Atributos do produto

Número da peça : CES521,L3F
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 30V
Atual - Média Retificada (Io) : 200mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 500mV @ 200mA
Rapidez : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 30µA @ 30V
Capacitância @ Vr, F : 26pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SC-79, SOD-523
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ESC
Temperatura de funcionamento - junção : 125°C (Max)

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