Vishay Semiconductor Diodes Division - BZT52C8V2-G3-18

KEY Part #: K6500187

BZT52C8V2-G3-18 Preços (USD) [2308031pcs Estoque]

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Número da peça:
BZT52C8V2-G3-18
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BZT52C8V2-G3-18 Atributos do produto

Número da peça : BZT52C8V2-G3-18
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tensão - Zener (Nom) (Vz) : 8.2V
Tolerância : ±5%
Potência - Max : 410mW
Impedância (Max) (Zzt) : 4.5 Ohms
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 100nA @ 6V
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : -
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SOD-123
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOD-123

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