Vishay Semiconductor Diodes Division - VSSB410S-E3/5BT

KEY Part #: K6427703

VSSB410S-E3/5BT Preços (USD) [556674pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.06644
  • 6,400 pcs$0.06021

Número da peça:
VSSB410S-E3/5BT
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VSSB410S-E3/5BT electronic components. VSSB410S-E3/5BT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VSSB410S-E3/5BT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VSSB410S-E3/5BT Atributos do produto

Número da peça : VSSB410S-E3/5BT
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA
Series : TMBS®
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 1.9A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 770mV @ 4A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1.5µA @ 70V
Capacitância @ Vr, F : 230pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AA, SMB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamento - junção : -40°C ~ 150°C

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