Microsemi Corporation - JANTXV1N5416US

KEY Part #: K6433303

JANTXV1N5416US Preços (USD) [6017pcs Estoque]

  • 1 pcs$7.61973
  • 109 pcs$7.58182

Número da peça:
JANTXV1N5416US
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 100V 3A D5B. Diodes - General Purpose, Power, Switching Rectifier
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - TRIACs and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5416US Atributos do produto

Número da peça : JANTXV1N5416US
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 100V 3A D5B
Series : Military, MIL-PRF-19500/411
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 9A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 150ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SQ-MELF, B
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-5B
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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