Rohm Semiconductor - RGTH60TS65GC11

KEY Part #: K6422619

RGTH60TS65GC11 Preços (USD) [28774pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$0.67853
  • 2,500 pcs$0.64622

Número da peça:
RGTH60TS65GC11
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 650V 58A 197W TO-247N.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGTH60TS65GC11 Atributos do produto

Número da peça : RGTH60TS65GC11
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : IGBT 650V 58A 197W TO-247N
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 58A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 120A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 30A
Potência - Max : 197W
Energia de comutação : -
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 58nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 27ns/105ns
Condição de teste : 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Temperatura de operação : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247N

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