FS150R17N3E4B11BOSA1 Preços (USD) [472pcs Estoque]
- 1 pcs$98.10253
- Número da peça:
- FS150R17N3E4B11BOSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- IGBT MODULE VCES 650V 150A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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FS150R17N3E4B11BOSA1 Atributos do produto
Número da peça :
FS150R17N3E4B11BOSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
IGBT MODULE VCES 650V 150A
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Configuração :
Three Phase Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1700V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
150A
Potência - Max :
835W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.3V @ 15V, 150A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
1mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
13.5nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
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